رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM4N90CZ C0G
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM4N90CZ C0G-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 38.7W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
958 قطع جديدة أصلية في المخزون
12898242
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM4N90CZ C0G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
955 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
TSM4N90
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
1801-TSM4N90CZC0G
TSM4N90CZC0G-DG
-2068-TSM4N90CZC0GDKRINACTIVE
-2068-TSM4N90CZC0GDKR
-2068-TSM4N90CZC0G
TSM4N90CZ C0G-DG
TSM4N90CZC0G
-2068-TSM4N90CZC0GDKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP2N95K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
STP2N95K5-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM038N03PQ33 RGG
MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
TSM3N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
TSM650N15CS RLG
MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP
